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vladimir poroshin
Institute of Physics NAS of Ukraine
Academia Nacional de Ciencias de Ucrania
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The influence of the ionized impurity delta-layer potential in the quantum well on impurity binding energy
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Applied Physics
Viktor Tulupenko
Arnold Abramov
Ya Belichenko
Volodymyr Akimov
T L Bogdanova
vladimir poroshin
Oksana Fomina
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2011
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Artículo de revista
On the possibility of tuning the energy separation between space-quantized levels in a quantum well
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Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000036790-17749
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: Philosophical Magazine Letters
Viktor Tulupenko
Carlos Alberto Duque Echeverri
R Demedyuk
Ya Belichenko
Carlos Alberto Duque Echeverri
Volodymyr Akimov
vladimir poroshin
Oksana Fomina
Viktor Tulupenko
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2012
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Artículo de revista
On some new effects in delta-doped QWs
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ID Minciencias: ART-0000036790-3
Ranking: ART-ART_A2
Fuente: Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures
Viktor Tulupenko
Carlos Alberto Duque Echeverri
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Anton Tiutiunnyk
Alvaro Luis Morales Aramburo
Volodymyr Akimov
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Miguel Eduardo Mora Ramos
vladimir poroshin
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Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2014
Citaciones:
10
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Artículo de revista
Impurity binding energy for δ-doped quantum well structures
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Acceso Abierto
Fuente: Bulletin of Materials Science
Viktor Tulupenko
Carlos Alberto Duque Echeverri
Roman Demediuk
Oksana Fomina
Volodymyr Akimov
Vasilii Belykh
T Dmitrichenko
vladimir poroshin
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2014
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Artículo de revista
Energy characteristics of boron impurity in Si∕Si1−xGex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells
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Acceso Cerrado
Fuente: Low Temperature Physics
Victor Vainberg
Yu N Gudenko
vladimir poroshin
Viktor Tulupenko
Na Cheng
Zhou Yang
Vladimir Mashanov
K Y Wang
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2007
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1
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Artículo de revista
Screened Coulomb potential approach for the study of resonant impurity states in uniaxially deformed p-Ge
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Acceso Cerrado
Fuente: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE
Arnold Abramov
Volodymyr Akimov
Viktor Tulupenko
Dmitry Firsov
Vladimir I Gavrilenko
vladimir poroshin
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2001
Citaciones:
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Artículo de revista
Resonant intersubband transitions of holes in uniaxially stressed p-Ge
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Acceso Cerrado
Fuente: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE
Arnold Abramov
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A T Dalakyan
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Dmitry Firsov
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Valery Bondar
vladimir poroshin
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2001
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Influence of Uniaxial Stress on the Polarization of Spontaneous Emission from p-Ge
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Acceso Cerrado
Fuente: Materials science forum
Arnold Abramov
Volodymyr Akimov
Valery Bondar
vladimir poroshin
Viktor Tulupenko
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2002
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Artículo de revista
Impurity binding energy for delta-doped quantum well structures
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Acceso Cerrado
Fuente: instname: Universidad de Antioquia
Carlos Alberto Duque Echeverri
Viktor Tulupenko
Roman Demediuk
Oksana Fomina
Volodymyr Akimov
Vasilii Belykh
T Dmitrichenko
vladimir poroshin
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2014
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