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R Contreras‐Guerrero
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Study of optical properties of GaAsN layers prepared by molecular beam epitaxy
Acceso Cerrado
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000018341-107
Fuente: Journal of Crystal Growth
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
Miguel Angel Aguilar Frutis
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
Electron diffraction
Band gap
Diffraction
Epitaxy
Spectral line
Chemistry
Ellipsometry
Materials science
Analytical Chemistry (journal)
Thin film
Optoelectronics
Optics
Layer (electronics)
Physics
Nanotechnology
Astronomy
Chromatography
Publicado: 2007
Citaciones:
10
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of the GaAs MBE growth on (631)-oriented substrates by Raman spectroscopy
Acceso Cerrado
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000018341-106
Fuente: Journal of Crystal Growth
Esteban Cruz Hernandez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
D Vazquez
Angel Rodriguez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Raman spectroscopy
Molecular beam epitaxy
Materials science
Spectroscopy
Chemistry
Crystallography
Analytical Chemistry (journal)
Nanotechnology
Optics
Epitaxy
Physics
Organic chemistry
Quantum mechanics
Layer (electronics)
Publicado: 2007
Citaciones:
4
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Characterization of optical and structural properties of GaAsN layers grown by Molecular Beam Epitaxy
Acceso Cerrado
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
Juan Salvador Rojas Ramírez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Miguel Angel Aguilar Frutis
Miguel Angel Vidal Borbolla
Temas:
Molecular beam epitaxy
Characterization (materials science)
Materials science
Epitaxy
Optoelectronics
Crystallography
Optics
Chemistry
Nanotechnology
Physics
Layer (electronics)
Publicado: 2005
Citaciones:
4
Artículo de revista
Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments
Acceso Cerrado
ART-ART_A2
ID Minciencias: ART-0000018341-124
Fuente: Journal of Crystal Growth
R Contreras‐Guerrero
Angel Guillén Cervantes
Z Rivera Álvarez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Gallardo Hernández Salvador
Y Kudriatsev
V M Sánchez Reséndiz
J S Rojas‐Ramirez
Esteban Cruz Hernandez
Victor Hugo Mendez Garcia
Mostrar todos
Temas:
Molecular beam epitaxy
Quantum well
Materials science
Optoelectronics
Epitaxy
Semiconductor materials
Chemistry
Nanotechnology
Optics
Semiconductor
Physics
Laser
Layer (electronics)
Publicado: 2008
Citaciones:
2
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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