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Hecho en Colombia
R Contreras‐Guerrero
Universidad Estatal de Texas
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Study of optical properties of GaAsN layers prepared by molecular beam epitaxy
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Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000018341-107
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: Journal of Crystal Growth
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
Miguel Angel Aguilar Frutis
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Tópico:
GaN-based semiconductor devices and materials
Publicado: 2007
Citaciones:
10
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of the GaAs MBE growth on (631)-oriented substrates by Raman spectroscopy
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Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000018341-106
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: Journal of Crystal Growth
Esteban Cruz Hernandez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
D Vazquez
Angel Rodriguez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2007
Citaciones:
4
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Characterization of optical and structural properties of GaAsN layers grown by Molecular Beam Epitaxy
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Acceso Cerrado
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
Juan Salvador Rojas Ramírez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Miguel Angel Aguilar Frutis
Miguel Angel Vidal Borbolla
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2005
Citaciones:
4
Artículo de revista
Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments
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Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000018341-124
Ranking: ART-ART_A2
Fuente: Journal of Crystal Growth
R Contreras‐Guerrero
Angel Guillén Cervantes
Z Rivera Álvarez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Gallardo Hernández Salvador
Y Kudriatsev
V M Sánchez Reséndiz
J S Rojas‐Ramirez
Esteban Cruz Hernandez
Victor Hugo Mendez Garcia
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Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2008
Citaciones:
2
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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