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Study of optical properties of GaAsN layers prepared by molecular beam epitaxy

Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000018341-107
Ranking: ART-ART_A1
Idioma: Inglés
Publicado: 03/02/2007
APC (est): No disponible

Abstract:

Abstract no disponible

Tópico:

GaN-based semiconductor devices and materials

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Información de la Fuente:

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FuenteJournal of Crystal Growth
Cuartil año de publicaciónNo disponible
Volumen301-302
IssueNo disponible
Páginas565 - 569
pISSNNo disponible
ISSN0022-0248
Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S10719676

Enlaces e Identificadores:

Minciencias IDART-0000018341-107Scienti ID0000018341-107Openalex URLhttps://openalex.org/W1983399261
Scholar URLhttps://scholar.google.com/scholar?hl=en&as_sdt=0%2C5&q=info%3AXFwpuz4e15wJ%3Ascholar.google.com&btnG=Scholar citations URLhttps://scholar.google.com/scholar?cites=11301535044686404700&as_sdt=2005&sciodt=0,5&hl=enDoi URLhttps://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.241
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