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Study of optical properties of GaAsN layers prepared by molecular beam epitaxy

Acceso Cerrado

ID Minciencias: ART-0000018341-107

Ranking: ART-ART_A1

Idioma: Inglés

Publicado: 03/02/2007

APC (est): No disponible

Abstract no disponible

GaN-based semiconductor devices and materials

FuenteJournal of Crystal Growth	Cuartil año de publicaciónNo disponible	Volumen301-302
IssueNo disponible	Páginas565 - 569	pISSNNo disponible
ISSN0022-0248	Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S10719676

Minciencias ID	ART-0000018341-107	Scienti ID	0000018341-107	Openalex URL	https://openalex.org/W1983399261
Scholar URL	https://scholar.google.com/scholar?hl=en&as_sdt=0%2C5&q=info%3AXFwpuz4e15wJ%3Ascholar.google.com&btnG=	Scholar citations URL	https://scholar.google.com/scholar?cites=11301535044686404700&as_sdt=2005&sciodt=0,5&hl=en	Doi URL	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.241

Artículo de revista