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Base de Datos: 29/08/2025
Hecho en Colombia
Characterization of optical and structural properties of GaAsN layers grown by Molecular Beam Epitaxy
Acceso Cerrado
Idioma: Inglés
Publicado: 01/01/2005
APC (est):
No disponible
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
Juan Salvador Rojas Ramírez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Miguel Angel Aguilar Frutis
Miguel Angel Vidal Borbolla
JSON
Abstract:
GaAsN layers were grown on GaAs(100) substrates by MBE employing a radio frequency (RF) plasma nitrogen source, and solid sources for Ga and As. The growth t...
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Citaciones:
4
Citaciones por año:
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Fuente
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Cuartil año de publicación
No disponible
Volumen
18
Issue
3
Páginas
27 - 32
pISSN
No disponible
ISSN
No disponible
Perfil OpenAlex
No disponible
Enlaces e Identificadores:
Openalex URL
https://openalex.org/W2277892036
Artículo de revista
