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Hecho en Colombia
Esteban Cruz Hernandez
Universidad Autónoma de San Luis Potosí
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Study of optical properties of GaAsN layers prepared by molecular beam epitaxy
Acceso Cerrado
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000018341-107
Fuente: Journal of Crystal Growth
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
Miguel Angel Aguilar Frutis
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
Electron diffraction
Band gap
Diffraction
Epitaxy
Spectral line
Chemistry
Ellipsometry
Materials science
Analytical Chemistry (journal)
Thin film
Optoelectronics
Optics
Layer (electronics)
Physics
Nanotechnology
Astronomy
Chromatography
Publicado: 2007
Citaciones:
10
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on (631) Oriented Substrates
Acceso Cerrado
Fuente: Japanese Journal of Applied Physics
Esteban Cruz Hernandez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Francisco Javier Ramírez Arenas
J S Rojas‐Ramirez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Hillock
Molecular beam epitaxy
Anisotropy
Diffusion
Epitaxy
Exponential growth
Materials science
Surface diffusion
Condensed matter physics
Chemistry
Crystallography
Chemical physics
Nanotechnology
Optics
Physics
Physical chemistry
Thermodynamics
Adsorption
Layer (electronics)
Quantum mechanics
Composite material
Publicado: 2005
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Photoreflectance study of InAs quantum dots on GaAs(n11) substrates
Acceso Cerrado
Fuente: Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures
J S Rojas‐Ramirez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
Armando Pérez Centeno
Miguel Angel Meléndez Lira
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Spectral line
Molecular beam epitaxy
Quantum dot
Materials science
Spectroscopy
Condensed matter physics
Reflection (computer programming)
Diffraction
Gallium arsenide
Optoelectronics
Epitaxy
Molecular physics
Chemistry
Optics
Physics
Nanotechnology
Layer (electronics)
Quantum mechanics
Astronomy
Computer science
Programming language
Publicado: 2006
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Structural and optical properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
Acceso Cerrado
ART-ART_B
ID Minciencias: ART-0000018341-105
Fuente: Microelectronics Journal
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Molecular beam epitaxy
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
Quantum dot
Materials science
Luminescence
Electron diffraction
Arsenic
Optoelectronics
Diffraction
Epitaxy
Nanotechnology
Optics
Physics
Layer (electronics)
Metallurgy
Publicado: 2008
Citaciones:
5
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of the GaAs MBE growth on (631)-oriented substrates by Raman spectroscopy
Acceso Cerrado
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000018341-106
Fuente: Journal of Crystal Growth
Esteban Cruz Hernandez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
D Vazquez
Angel Rodriguez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Raman spectroscopy
Molecular beam epitaxy
Materials science
Spectroscopy
Chemistry
Crystallography
Analytical Chemistry (journal)
Nanotechnology
Optics
Epitaxy
Physics
Organic chemistry
Quantum mechanics
Layer (electronics)
Publicado: 2007
Citaciones:
4
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Characterization of optical and structural properties of GaAsN layers grown by Molecular Beam Epitaxy
Acceso Cerrado
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
Juan Salvador Rojas Ramírez
R Contreras‐Guerrero
Miguel Angel Meléndez Lira
C Falcony Guajardo
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Miguel Angel Aguilar Frutis
Miguel Angel Vidal Borbolla
Temas:
Molecular beam epitaxy
Characterization (materials science)
Materials science
Epitaxy
Optoelectronics
Crystallography
Optics
Chemistry
Nanotechnology
Physics
Layer (electronics)
Publicado: 2005
Citaciones:
4
Artículo de revista
Self-Assembly of Nanostructures on (631)-Oriented GaAs Substrates
Acceso Cerrado
Fuente: AIP conference proceedings
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Esteban Cruz Hernandez
I Martínez‐Velis
J S Rojas‐Ramirez
MANOLO Ramírez López
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Juan Hernandez Rosas
Temas:
Molecular beam epitaxy
Materials science
Quantum dot
Anisotropy
Nanostructure
Gallium arsenide
Layer (electronics)
Optoelectronics
Crystal growth
Crystal (programming language)
Self-assembly
Characterization (materials science)
Diffusion
Epitaxy
Nanotechnology
Surface diffusion
Condensed matter physics
Crystallography
Chemistry
Optics
Physical chemistry
Physics
Programming language
Adsorption
Computer science
Thermodynamics
Publicado: 2007
Citaciones:
2
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments
Acceso Cerrado
ART-ART_A2
ID Minciencias: ART-0000018341-124
Fuente: Journal of Crystal Growth
R Contreras‐Guerrero
Angel Guillén Cervantes
Z Rivera Álvarez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Gallardo Hernández Salvador
Y Kudriatsev
V M Sánchez Reséndiz
J S Rojas‐Ramirez
Esteban Cruz Hernandez
Victor Hugo Mendez Garcia
Mostrar todos
Temas:
Molecular beam epitaxy
Quantum well
Materials science
Optoelectronics
Epitaxy
Semiconductor materials
Chemistry
Nanotechnology
Optics
Semiconductor
Physics
Laser
Layer (electronics)
Publicado: 2008
Citaciones:
2
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of the homoepitaxial growth of GaAs on (631) oriented substrates
Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
Carlos Vazquez Lopez
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Victor Hugo Mendez Garcia
Temas:
Hillock
Molecular beam epitaxy
Materials science
Diffusion
Arrhenius equation
Activation energy
Anisotropy
Condensed matter physics
Crystallography
Chemistry
Epitaxy
Nanotechnology
Optics
Composite material
Physical chemistry
Physics
Thermodynamics
Layer (electronics)
Publicado: 2006
Citaciones:
1
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Self Assembly of semiconductor nanostructures
Acceso Abierto
Fuente: Respuestas
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Esteban Cruz Hernandez
I Martínez‐Velis
Juan Salvador Rojas Ramírez
MANOLO Ramírez López
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Temas:
Molecular beam epitaxy
Quantum dot
Materials science
Nanostructure
Condensed matter physics
Anisotropy
Semiconductor
Crystal growth
Surface diffusion
Diffusion
Chemical beam epitaxy
Nanotechnology
Optoelectronics
Chemical physics
Epitaxy
Layer (electronics)
Chemistry
Crystallography
Optics
Physics
Physical chemistry
Adsorption
Thermodynamics
Publicado: 2016
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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