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I Chambouleyron
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Aluminum-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films
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Acceso Cerrado
Fuente: Applied Physics Letters
I Chambouleyron
Javier Faulin
Antonio Ricardo Zanatta
Fabio Enrique Fajardo Tolosa
Tópico:
Thin-Film Transistor Technologies
Publicado: 2001
Citaciones:
42
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Microscopic mechanisms behind the Al-induced crystallization of a-Ge:H films
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Non-Crystalline Solids
I Chambouleyron
Javier Faulin
Antonio Ricardo Zanatta
Fabio Enrique Fajardo Tolosa
Tópico:
Thin-Film Transistor Technologies
Publicado: 2002
Citaciones:
8
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Band tails and defect density in p-type doped hydrogenated amorphous germanium
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Non-Crystalline Solids
David Comedi
Javier Faulin
I Chambouleyron
Fabio Enrique Fajardo Tolosa
Tópico:
Thin-Film Transistor Technologies
Publicado: 1996
Citaciones:
1
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Annealing crystallization of a‐Ge/Al/Si and a‐Ge/Si thin films
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Acceso Cerrado
Fuente: physica status solidi (b)
Fabio Enrique Fajardo Tolosa
Antonio Ricardo Zanatta
I Chambouleyron
Tópico:
Silicon Nanostructures and Photoluminescence
Publicado: 2005
Citaciones:
1
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Annealing effects on crystallized Al‐doped a‐Ge:H thin films
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Acceso Cerrado
Fuente: Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics
Javier Faulin
Antonio Ricardo Zanatta
I Chambouleyron
Fabio Enrique Fajardo Tolosa
Tópico:
Thin-Film Transistor Technologies
Publicado: 2005
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Cristalización por tratamiento térmico de películas de a-Ge/Al/vidrio
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Acceso Cerrado
Fuente: Revista de la Sociedad Colombiana de Física
I Chambouleyron
F Fajardo
ALBERTO ZANATTA
Fabio Enrique Fajardo Tolosa
Tópico:
Silicon Nanostructures and Photoluminescence
Publicado: 2005
Citaciones:
0
Artículo de revista
1
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