Se estudia el proceso de cristalizacion de peliculas de germanio amorfo (a-Ge) depositadas sobre substratos de vidrio, el cual esta recubierto con una pelicula de Al (~200 nm). Las peliculas de a-Ge fueron depositadas mediante la tecnica de pulverizacion catodica. El tratamiento termico de las peliculas se realizo sucesivamente en intervalos de 15 minutos, en un rango de temperaturas que varia entre 150 a 700 °C. Los resultados muestran que la temperatura de cristalizacion depende del espesor de la pelicula de a-Ge. A temperaturas altas (>= 600 °C) se forma la aleacion GexSi1-x y se induce la cristalizacion del Si, el cual es uno de los constituyentes del substrato.