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R Soydan
Kahramanmaraş Sütçü İmam University
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Effect of Pattern Orientation on the Resistance to Process‐Induced Dislocation Generation in (100) Silicon
Acceso Cerrado
Fuente: Journal of The Electrochemical Society
L Jastrzȩbski
R Soydan
N Armour
S Vecrumba
W N Henry
Temas:
Wafer
Materials science
Dislocation
Slip (aerodynamics)
Silicon
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Silicon nitride
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Mathematics
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Publicado: 1987
Citaciones:
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