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A T Dalakyan
Universidad de Taiwán
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Far-IR radiation of hot holes in germanium for mutually perpendicular directions of uniaxial pressure and electric field
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Acceso Cerrado
Fuente: JETP Letters
V N Bondar
A T Dalakyan
L E Vorob’ev
Dmitry Firsov
Viktor Tulupenko
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 1999
Citaciones:
9
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Evidence for capture of holes into resonant states in boron-doped silicon
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Applied Physics
Shun Tung Yen
Viktor Tulupenko
E S Cheng
P K Chung
C P Lee
A T Dalakyan
K A Chao
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2004
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
On resonance states in “split” germanium
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Acceso Cerrado
Fuente: JETP Letters
A T Dalakyan
Viktor Tulupenko
Dmitry Firsov
Valery Bondar
Tópico:
Quantum and electron transport phenomena
Publicado: 1999
Citaciones:
5
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Influence of uniaxial pressure on the photoionization of h-centers in semiconductors
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Acceso Cerrado
Fuente: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE
Arnold Abramov
Volodymyr Akimov
A T Dalakyan
Dmitry Firsov
Viktor Tulupenko
Fedir Vasko
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 1999
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Resonant intersubband transitions of holes in uniaxially stressed p-Ge
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Acceso Cerrado
Fuente: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE
Arnold Abramov
Volodymyr Akimov
A T Dalakyan
Viktor Tulupenko
Dmitry Firsov
Vladimir I Gavrilenko
Valery Bondar
vladimir poroshin
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2001
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Electric Current Study under Parallel and Perpendicular Directions of Uniaxial Pressure and Strong Electric Field in p-Ge
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Acceso Cerrado
Fuente: Materials science forum
Arnold Abramov
Volodymyr Akimov
A T Dalakyan
Viktor Tulupenko
A M Zaitcev
Sergey Danilov
Dmitry Firsov
Vadim Shalygin
Tópico:
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
Publicado: 1998
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Experimental investigations of electric current under transverse and longitudinal electric field in uniaxially deformed p-Ge
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Acceso Cerrado
Fuente: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE
Arnold Abramov
Volodymyr Akimov
A T Dalakyan
Viktor Tulupenko
A M Zaitsev
S N DANILOV
Dmitry Firsov
Vadim Shalygin
Tópico:
Electromagnetic Effects on Materials
Publicado: 1999
Citaciones:
0
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Artículo de revista
1
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