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Hecho en Colombia
William Rafael López Pérez
Grupo de Investigación en Física Aplicada
Universidad del Norte (Colombia)
TRIRREME- Grupo de Investigación en Tecnologías de Ingeniería Naval.
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Vacancy charged defects in two-dimensional GaN
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ID Minciencias: ART-0000020524-103
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Rafael Gonzalez Hernandez
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Publicado: 2017
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Large thermoelectric figure of merit in hexagonal phase of 2D selenium and tellurium
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ID Minciencias: ART-0000020524-115
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Luz Ramírez Montes
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Carlos Pinilla
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Publicado: 2020
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Vanadium adsorption and incorporation at the GaN(0001) surface: A first-principles study
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Publicado: 2010
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Publicado: 2015
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Adsorption and diffusion of 3d transition metal atoms on the GaN(0001) surface
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Fuente: Journal of Applied Physics
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Tópico:
GaN-based semiconductor devices and materials
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Tuning the electronic and magnetic properties of 2D g-GaN by H adsorption: An ab-initio study
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ID Minciencias: ART-0000020524-112
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Fuente: Physica B Condensed Matter
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Publicado: 2019
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Fuente: Applied Surface Science
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Publicado: 2014
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ID Minciencias: ART-0000020524-34
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Fuente: Applied Surface Science
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César Ortega
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GaN-based semiconductor devices and materials
Publicado: 2010
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Ab initio calculations of magnetic properties of Ag-doped GaN
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ID Minciencias: ART-0000020524-45
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Alvaro González
William Rafael López Pérez
Rafael Gonzalez Hernandez
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ZnO doping and properties
Publicado: 2012
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Structural, mechanical and electronic properties of two-dimensional structure of III-arsenide (1 1 1) binary compounds: An ab-initio study
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ID Minciencias: ART-0000020524-105
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Fuente: Computational Materials Science
Alvaro González
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Jagger Rivera Julio
F M Peteers
Victor Mendoza Estrada
Rafael Gonzalez Hernandez
Tópico:
2D Materials and Applications
Publicado: 2017
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