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Vacancy charged defects in two-dimensional GaN

Acceso Cerrado

ID Minciencias: ART-0000020524-103

Ranking: ART-ART_A1

Idioma: Inglés

Publicado: 23/10/2017

APC (est): No disponible

Abstract no disponible

Ga2O3 and related materials

FuenteApplied Surface Science	Cuartil año de publicaciónNo disponible	Volumen433
IssueNo disponible	Páginas1049 - 1055	pISSNNo disponible
ISSN0169-4332	Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S42323631

Minciencias ID	ART-0000020524-103	Scienti ID	0000020524-103	Scholar URL	https://scholar.google.com/scholar?hl=en&as_sdt=0%2C5&q=info%3A3e3y-mqWJbQJ%3Ascholar.google.com&btnG=
Doi URL	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.10.136	Openalex URL	https://openalex.org/W2765117566	Scholar citations URL	https://scholar.google.com/scholar?cites=12980946887186247133&as_sdt=2005&sciodt=0,5&hl=en
Pdf URL	https://www.researchgate.net/profile/Rafael_Gonzalez-Hernandez/publication/320574423_Vacancy_Charged_Defects_in_Two-Dimensional_GaN/links/5ca624544585157bd322ce06/Vacancy-Charged-Defects-in-Two-Dimensional-GaN.pdf

Artículo de revista