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Julio G Mendoza Alvarez
Instituto Politécnico Nacional
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Temperature dependence of the band gap energy of crystalline CdTe
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Fuente: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Gerardo Fonthal Rivera
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Advanced Semiconductor Detectors and Materials
Publicado: 2000
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Raman spectrum of monoclinic semiconductor Cu 2SnSe 3
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Gustavo Marcano
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Chalcogenide Semiconductor Thin Films
Publicado: 2010
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Photoluminescence measurements in the phase transition region for CdS thin films
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Chalcogenide Semiconductor Thin Films
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On the bowing parameter in Cd1−xZnxTe
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Fuente: Journal of Applied Physics
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Advanced Semiconductor Detectors and Materials
Publicado: 2004
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Effect of the indium myristate precursor concentration on the structural, optical, chemical surface, and electronic properties of InP quantum dots passivated with ZnS
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Daladier Alonso Granada Ramirez
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Publicado: 2019
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Raman scattering and X-ray diffraction study in Cu2GeSe3
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Fuente: Solid State Communications
Gustavo Marcano
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Gerzon Eusebio Delgado Arciniegas
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Tópico:
Chalcogenide Semiconductor Thin Films
Publicado: 2008
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Measurement of the Auger lifetime in GaInAsSb/GaSb heterostructures using the photoacoustic technique
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Acceso Abierto
Fuente: Applied Physics Letters
Ines Riech
M L Gómez Herrera
Patricia Díaz Baizán
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Thermography and Photoacoustic Techniques
Publicado: 2001
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Passivation properties of CdS thin films grown by chemical bath deposition on GaSb: the influence of the S/Cd ratio in the solution and of the CdS layer thickness on the surface recombination velocity
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Acceso Cerrado
Fuente: Semiconductor Science and Technology
Osvaldo Vigil
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Publicado: 2005
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Quantum dots for biomedical applications
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Fuente: Elsevier eBooks
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Julio G Mendoza Alvarez
Tópico:
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Publicado: 2017
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Fuente: Applied Surface Science
Daladier Alonso Granada Ramirez
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P Rodríguez Fragoso
Jose Luis Herrera Perez
M L Gómez Herrera
Sergio Armando Tomás
F Vázquez Hernández
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Tópico:
Quantum Dots Synthesis And Properties
Publicado: 2020
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