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Gallardo Hernández Salvador
Instituto Politécnico Nacional
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional
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Study of the surface chemistry, surface morphology, optical, and structural properties of InGaN thin films deposited by RF magnetron sputtering
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Acceso Cerrado
Fuente: Applied Surface Science
Daladier Alonso Granada Ramirez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Camilo Andres Pulzara Mora
A Pardo Sierra
Jairo Armando Cardona Bedoya
Mario Pérez González
Sergio Armando Tomás
Gallardo Hernández Salvador
Julio G Mendoza Alvarez
Tópico:
GaN-based semiconductor devices and materials
Publicado: 2022
Citaciones:
13
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Structural and optical characterization of GaAs and InGaAs thin films deposited by RF magnetron sputtering
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Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000450871-86
Ranking: ART-ART_A2
Fuente: Optik
Roberto Bernal Correa
Gallardo Hernández Salvador
Jairo Armando Cardona Bedoya
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Tópico:
Phase-change materials and chalcogenides
Publicado: 2017
Citaciones:
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Structural and optical study of alternating layers of In and GaAs prepared by magnetron sputtering
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Acceso Abierto
Fuente: Universitas Scientiarum
Santiago Torres Jaramillo
Camilo Andres Pulzara Mora
Roberto Bernal Correa
M Venegas De La Cerda
Gallardo Hernández Salvador
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Tópico:
Ion-surface interactions and analysis
Publicado: 2019
Citaciones:
3
Altmétricas:
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Interference and electro-optical effects in cubic GaN/GaAs heterostructures prepared by molecular beam epitaxy
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Applied Physics
Blanca Zendejas Leal
Yenny Casallas Moreno
Cristo Yee Rendon
Guillermo Iván González Pedreros
Jaime Santoyo Salazar
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Gallardo Hernández Salvador
Jorge Adalberto Huerta Ruelas
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Tópico:
GaN-based semiconductor devices and materials
Publicado: 2020
Citaciones:
3
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Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments
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Acceso Cerrado
ID Minciencias: ART-0000018341-124
Ranking: ART-ART_A2
Fuente: Journal of Crystal Growth
R Contreras‐Guerrero
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Z Rivera Álvarez
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Gallardo Hernández Salvador
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V M Sánchez Reséndiz
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Esteban Cruz Hernandez
Victor Hugo Mendez Garcia
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Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2008
Citaciones:
2
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InxGa1-xAs obtained from independent target via co-sputtering deposition
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0000018341-166
Ranking: ART-GC_ART
Fuente: Journal of Physics Conference Series
Roberto Bernal Correa
Santiago Torres Jaramillo
Camilo Andres Pulzara Mora
Jorge Ivan Montes Monsalve
Gallardo Hernández Salvador
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Jairo Armando Cardona Bedoya
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2017
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