Con el propósito de mejorar la eficiencia energética de los convertidores de potencia utilizados en la generación, almacenaje y distribución de energía; en la presente investigación se analizan las ventajas de implementar en los convertidores de potencia transistores tipo MOSFETs construidos con materiales semiconductores de alto valor de energía en la banda prohibida (WBG), como son el Nitruro de Galio (GaN) y el Carburo de Silicio (SiC), con respecto al convencional material semiconductor de Silicio (Si), usando como plataforma de pruebas convertidores DC-AC. Para comparar su eficiencia en la conversión de potencia se realizó el diseño e implementación de tres prototipos de convertidores DC-AC de puente completo, uno para cada tipo de semiconductor, logrando alcanzar en ellos eficiencias superiores al 90% y obteniendo del análisis realizado una comparación del desempeño energético de los tres convertidores DC-AC a diferentes frecuencias de conmutación. (Tomado de la fuente)