El dióxido de hafnio HfO2 es un material con una alta constante dieléctrica y un band gap cerca de 5.0 eV, a su vez este material ha presentado el efecto de conmutación resistiva, lo cual lo hace un candidato importante para aplicaciones en micro y nano electrónica. Se depositó películas delgadas de HfO2 sobre sustratos de Pt/TiO2/SiO2/Si, utilizando la técnica de pulverización catódica asistida por magnetrón RF, en una atmósfera de oxígeno a una presión de 10-1 mbar y una temperatura de sustrato de 550 oC. También se realizó una variación sistemática del espesor de la película de HfO2 entre 23 nm y 155 nm para observar el efecto del espesor de la capa de HfO2 sobre el efecto de conmutación resistiva.