En este trabajo se presenta la fabricacion y la caracterizacion estructural y optica de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb crecidas por medio de la tecnica de epitaxia en fase liquida (EFL). Las capas epitaxiales fueron crecidas sobre monocristales comerciales de GaSb:Si. Para el crecimiento, se utilizo una solucion liquida rica en In para la capa de GaInAsSb y una solucion rica en Ga para la capa de GaSb. En la caracterizacion estructural se empleo difraccion de rayos X (DRX), lograndose identificar la alta cristalinidad en las muestras. En la caracterizacion optica se usaron las tecnicas de absorcion optica y fotoluminiscencia (FL). Las mediciones de absorcion optica fueron realizadas en un espectrometro de FTIR. Los espectros de fotoluminiscencia, fueron medidos en un criostato en el rango de temperaturas desde 11 K hasta 300 K, usando una fuente de excitacion en la linea 488 nm de un laser de Ar. De los respectivos analisis de la caracterizacion optica, se lograron identificar transiciones alrededor del borde de absorcion y transiciones fotoluminiscentes asociadas a las capas del cuaternario y del binario. Tambien se lograron definir los parametros para el proceso de crecimiento por EFL que favorecio la formacion de las capas con alta cristalinidad del GaInAsSb y del GaSb. In this paper the growth of GaSb/GaInAsSb/GaSb heterostructures and its optical and structural characterization is presented. The heterostructures were grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) technique over commercial GaSb:Si single crystals. The GaInAsSb and the GaSb films of the heterostructures were grown from an In-rich and a Ga-rich precursor solution, respectively. X-ray diffraction patterns were used in the structural characterization, achieving the identification of high crystallinity in the samples. Optical absorption and photoluminescence techniques were used for the optical characterization. Optical absorption measurements were performed on a FTIR spectrometer. The photoluminescence spectra were measured in a cryostat in the temperature range from 11 K to 300 K, using as excitation source the 488 nm line of an Ar laser. From the analysis of the optical characterization, we identified the electronic transitions observed in the PL spectrum. The values of the absorption edge awere obtained ssociated with the quaternary and binary layers. We also obtained the growth parameters for the LPE that favored the formation of the GaInAsSb and GaSb layers with high crystallinity.