El presente trabajo de Tesis tiene como objetivo fundamental realizar una investigacion sistematica del dopaje del compuesto BAs con atomos del metal de transicion 3d cobalto en diferentes niveles de dilucion (3.125%, 6.25%, 12.5% y 25%), para predecir las propiedades estructurales, electronicas y magneticas en funcion de la concentracion. Esto tiene sentido porque se apunta a que los resultados sean de interes para potenciales aplicaciones de los compuestos de BAs dopados en el diseno y desarrollo de nuevos dispositivos para diversos usos tecnologicos. En general, los resultados obtenidos no recomiendan al Co como metal de transicion dopante en el semiconductor BAs para la produccion de diluidos magneticos. Sin embargo, estos resultados pueden ser importantes para obtener polarizacion de espin en el estado AFM, al doparlo simultaneamente con otro metal de transicion que produzca un estado FM en el semiconductor BAs. Asimismo, y con respecto a la naturaleza magnetica de los compuestos CoxB1-xAs, se encuentra una clara tendencia en la interaccion magnetica al aumentar la concentracion en el metal de transicion dopante. Es asi que se percibe un claro incremento en el estado AFM para los compuestos. En fin, se observa que al dopar el semiconductor BAs con el metal de transicion 3d-Co, se puede inducir antiferromagnetismo.