En las ultimas decadas el estudio de los materiales de bajas dimensiones muestra una amplia gama de aplicaciones en distintos campos. En la actualidad, la investigacion de las nuevas propiedades de los materiales semiconductores mediante la creacion de capas porosas en dichos semiconductores brinda la posibilidad de nuevas aplicaciones en la electronica y la opto-electronica como en otros campos de la tecnologia como lo son sensores, celdas de combustible, baterias de larga duracion, aplicaciones medicas, etc. En este trabajo se fabricaron peliculas delgadas porosas de GaSb por el metodo de anodizado electroquimico utilizando acido clorhidrico (HCl). Se realizo ataque electroquimico a peliculas con diferentes parametros de sintesis (tiempos de depositos y temperatura de recocido) fabricadas sobre sustratos de vidrio. Se variaron tiempos de ataque electroquimico y voltajes aplicados para correlacionar los resultados. Posterior a ello se realizaron estudios morfologicos utilizando las tecnicas de microcopia de barrido electronico (SEM, por sus siglas en ingles) y microscopia de fuerza atomica (AFM). Por ultimo, se analiza la correlacion entre los parametros de sintesis y la morfologia de la superficie del material.