En este trabajo de grado se fabricaron peliculas delgadas del compuesto binario ZnS y ternario ZnS1-xTex, a diferentes temperaturas de sustrato. Se realizo un estudio de la influencia de los parametros de deposito y temperatura sobre las propiedades morfologicas, opticas y optoelectricas. La observacion de la influencia de los parametros se dio a partir de la caracterizacion de los materiales mediante las tecnicas experimentales de transmitancia espectral, difraccion de rayos-x (XRD), fotocorriente y fotoluminiscencia. Utilizando un proceso de simulacion de los espectros de transmitancia se determino la variacion espectral del indice de refraccion del coeficiente de extincion y adicionalmente se determino la banda de energia prohibida de los materiales. Se encontro que los materiales crecen con estructura cubica, tienen bandas de energia prohibida o banda de energia prohibida del semiconductor de 3.66 eV para el material binario ZnS. En el material ternario se encontro que, dependiendo de la composicion de la muestra, la banda de energia prohibida se puede variar controladamente durante el proceso de evaporacion entre 2.20 eV hasta 3.20 eV. Se encontraron respuestas espectrales amplias en el visible en los espectros de fotoconductividad comprendidos entre 400 y 800 nm para los materiales ternarios. El ancho y posicion de la senal fotoconductora se puede controlar en este intervalo espectral durante el proceso de preparacion de los materiales. Los espectros de fotoluminiscencia abarcan la region comprendida entre 400 y 800 nm a temperatura ambiente.