En este trabajo presentamos el analisis de los ensanchamientos inhomogeneos de espectros de Fotorreflectancia (FR) y Fotoluminiscencia (FL) en pozos cuanticos de InGaAs/InAlAs. La muestra fue crecida por medio de la tecnica de Deposicion de Vapor Quimico Metal Organico (MOCVD) con anchos de pozos que van desde 6.5 hasta 10.5 nm. Las mediciones de FR se realizaron en el rango de temperaturas comprendido entre 220 y 300 K, mientras que las mediciones de FL se hicieron en el rango de temperaturas comprendido desde 11 hasta 200 K. Se hizo un analisis comparativo de las formas de linea de los espectros experimentales de FR y FL, encontrandose ensanchamientos inhomogeneos, los cuales se atribuyen a tensiones locales en la interfase pozo-barrera. De los respectivos analisis de los espectros de FR y FL, se logro obtener la dependencia con la temperatura de los parametros de ensanchamiento de los espectros de FR y FL, lograndose identificar efectos de la interaccion exciton-fonon en las transiciones opticas estudiadas por ambas tecnicas de caracterizacion optica. Abstract In this work we present the analysis of the inhomogeneous broadening of Photoreflectance (PR) and Photoluminiscence (PL) spectra in InGaAs/InAlAs quantum wells. The sample was grown by means of Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) with well widths in the range from 6.5 to 10.5 nm. PR measurements were performed in the temperature range between 220 and 300 K while the PL measurements were made in the temperature range from 11 to 300 K. Comparative analysis of line shapes of the PR and PL experimental spectra reveals an inhomogeneous broadening in both measurements, which is attributed to local stresses in the well-barrier interface. From the analysis of the PR and PL spectra, we obtained the temperature dependence of the broadening parameters, allowing the identification of effects of exciton-phonon interaction in optical transitions studied by both optical techniques.