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Energías De Cristalización De Las Capas De A-Sicx:H Intrínsecas Y Dopadas Con Fósforo Energies of crystallization of the layers of A-Sicx: H intrinsic and doped with phosphorus
Acceso Cerrado
Idioma: Español
Publicado: 01/01/2010
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K Beleño
IVALDO TORRES CHAVEZ
J Baquero
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Tópico:
Thin-Film Transistor Technologies
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