Se estudian los efectos de la presion hidrostatica, de un campo electrico externo y de la concentracion de aluminio en anillos cuanticos de GaAs con diferentes geometrias sobre los niveles de energia del electron y de las energias de enlace de una impureza donadora poco profunda. Ademas se calculan la absorcion optica intra-banda de orden lineal y no lineal y los cambios relativos del indice de refraccion, se utiliza el metodo variacional y las aproximaciones de masa efectiva y de bandas parabolicas. Para los calculos de las propiedades 'opticas no lineales se han utilizado el metodo de la matriz densidad compacto y un metodo iterativo. Las energias de los estados 1s y 2s se calculan como una funcion de las geometrias de los anillos, la posicion de la impureza y los agentes externos. Para la absorcion optica intra-banda y los cambios relativos del indice de refraccion asociados con las transiciones entre el estado base y la primer estado excitado, se investigo su dependencia con la energia del foton incidente, con diferentes valores de los agentes externos y la posicion de la impureza. Los resultados muestran que la energia de enlace se comporta como una funcion creciente/decreciente de los radios interno/externo y de la presion hidrostatica, el campo electrico y de la concentracion de aluminio. En el caso de los coeficientes de absorcion optica intra-banda los resultados muestran un desplazamiento al azul y, o un desplazamiento hacia el rojo de los picos maximos que puede ser inducido como resultado de las influencias planteadas: La geometria del anillo cuantico correspondiente, la posicion de la impureza y la presion hidrostatico, el campo electrico y la concentracion de aluminio.