Capas de InN fueron preparadas por pulverizacion catodica asistida por campo magnetico, en una atmosfera mixta de argon y nitrogeno sobre substratos de Si(100), Si(111) y vidrio. La temperatura del substrato Ts se vario (300-500 oC) con el fin de correlacionarla con las propiedades opticas, estructurales y morfologicas de las capas. Los resultados rayos-X permitieron revelar la presencia de InN hexagonal tipo wurtzita en cada una de las capas, ademas de oxidos de indio (InxOy) atribuidos a diferentes factores. Se evidencio una dependencia en la calidad cristalina de cada una de las capas en funcion de Ts. El coeficiente de absorcion optica y el ancho de banda fueron determinados a partir de los espectros de absorbancia y transmitancia obtenidos por UV/Vis. Modos vibraciones asociados al semiconductor InN y InxOy fueron identificados por microscopia Raman. La morfologia de las capas y el tamano de grano fue analizado a partir de micrografias SEM donde se logro determinar la formacion de macroparticulas ~ 0.5 mm y nanoparticulas ~ 50 nm de diferentes geometrias