Los sensores de gas basados en Oxidos semiconductores presentan un cambio en la resistencia cuando son expuestos a ciertos gases. El oxido de estano, SnO2, es el compuesto mas utilizado en la fabricacion de sensores de gas, y con el fin de mejorar su eficiencia normalmente se le adicionan oxidos de paladio, bismuto, antimonio entre otros. Durante el desarrollo de este trabajo se realizo la sintesis de polvos ceramicos del sistema SnO2 –Sb2O3 utilizando los metodos de precipitacion y precursor polimerico (Pechini). Los polvos ceramicos fueron caracterizados con ATD/TG, DRX y FTIR. Ademas, se muestra la microestructura obtenida por MEB y el comportamiento electrico de peliculas gruesas conformadas con los polvos ceramicos obtenidos sobre substratos de alumina, determinando el cambio de la resistencia electrica del sistema en funcion del tiempo de exposicion a una atmosfera (oxigeno o monoxido de carbono). El principal interes de este trabajo fue determinar el efecto del metodo de sintesis, asi como el de la concentracion de Sb2O3 como aditivo, sobre las propiedades sensoras de sistemas con base en SnO2.