El uso de las estructuras de baja dimensionalidad es un elemento tecnologico clave en la creacion de nuevos dispositivos cuanticos funcionales de la siguiente generacion de circuitos integrados electronicos, fotonicos y espintronicos y muchos otros dispositivos nanotecnologicos que son necesarios para la sociedad de la informacion del siglo XXI. Una de las propiedades opticas mas importante es la fotoluminiscencia producida por agentes tales como impurezas y excitones en pozos, hilos y puntos cuanticos de arseniuro de galio GaAs con dimensiones nanometricas bajo la influencia de campos electricos y magneticos y presiones externas. Se presenta la energia de enlace para los tres primeros estados excitonicos en pozos cuanticos de GaAs/Ga1-xA1xAs describiendo el sistema por medio de la teoria cuantica, en la aproximacion de masa efectiva y usando el metodo variacional. Abstract: The use of low dimensional structures is a key technological element in the creation of new quantum functional devices in the development of the next generation of the electronic, photonic, and spintronicintegrated circuits and many other nanoscaled devices that are necessary for the information society of 21st century. One of the most important optical properties is the photoluminescence produced by agents as impurities and excitons in GaAs quantum wells, wires, and dots with nanometric dimensions under the influence of electric and magnetic fields and external pressures. The binding energy for the first three excitonic states in GaAs/Ga1-xA1xAs quantum wells describing the system through quantum theory in the effective mass approximation and using the variational method is presented.