Las peliculas delgadas basadas en compuestos de Sn-S en la actualidad son de gran de interes debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos opto-electronicos, entre ellos las celdas solares. El S y Sn son de bajo costo, abundantes en la naturaleza y menos toxicos que la mayoria de los materiales usados en la industria para la fabricacion de celdas solares. En este trabajo se preparan peliculas delgadas de SnS 2 :Bi por sulfurizacion de sus precursores metalicos, variando el contenido de Bi y se realizan estudios de transmitancia, fotoconductividad de transientes bajo iluminacion y decaimiento, y perfiles de profundidad Auger Electron Spectroscopy (AES). A partir de las medidas de transmitancia se establecio que la brecha de energia prohibida de las peliculas depositadas varia entre 1.45 eV y 1.64 eV dependiendo del contenido de Bi. Los perfiles de profundidad AES mostraron que para concentraciones de Bi menores al 50% las peliculas crecen con composicion quimica homogenea .