La incorporacion de un oxido a la matriz de un segundo produce cambios en las propiedades superficiales del sistema inicial, asi como modificaciones en la estructura electronica del material; de hecho, la recombinacion de portadores de cargas en un material semiconductor se ve modificada por la incorporacion de otro elemento a la red del semiconductor. En particular, las propiedades estructurales, morfologicas, superficiales y cataliticas del oxido de zirconio se ven afectadas al depositarlo sobre otro que actue como matriz de soporte. En este trabajo se han preparado oxidos mixtos ZrO2-SiO2 empleando el metodo sol gel de precipitacion seguido de diversos tratamientos termicos. Los materiales asi obtenidos fueron caracterizados por diversas tecnicas evaluandose ademas su actividad fotocatalitica en la degradacion del 3-nitrofenol. Si bien el comportamiento fotocatalitico del sistema ZrO2-SiO2 no difiere del que exhiben los oxidos simples ZrO2 y SiO2, las propiedades de estos materiales tipo oxido mixto si estan fuertemente condicionadas no solo por el metodo de preparacion sino por los tratamientos de calcinacion.