En el proceso de fabricacion de dispositivos semiconductores se incluye el dopado de regiones para modificar sus propiedades electricas. El dopado, bien sea por implantacion o deposito de iones (Spin On Dopant), requiere de la activacion de los atomos dopantes, la cual se hace mediante un proceso termico a temperaturas del orden de 1000oC. Sin embargo, el proceso de activacion conlleva, en forma no deseada, a la difusion de los iones, hecho que dificulta la fabricacion de dispositivos nanometricos. Se ha observado que la difusion sufre fuertes incrementos cuando se realiza en procesos de no equilibrio termico (activacion en hornos RTP, “Rapid Thermal Process”), por esto se ha hecho una evaluacion de diferentes perfiles de concentracion de iones activos de boro en silicio cristalino activados en hornos RTP. Con esta evaluacion se obtiene la difusividad del ion y se reporta el respectivo coeficiente de difusion, en este caso, comparado con el coeficiente de difusion cuando la activacion es en equilibrio termico .