En este trabajo se presenta, a partir de primeros principios, haciendo uso de la teoria del funcional de la densidad (DFT), una simulacion computacional, del cambio que sufren las propiedades estructurales y electronicas del Si y el Ge a medida que se incorporan elementos de la columna III de la tabla Periodica. Los elementos que se incorporaron sustitucionalmente fueron B, Al, Ga, In y Tl con X = 0.125 y 0.5, para SixZ(1-x) y X = 0.5, para GexZ(1-x). Se obtienen la constante de red, el modulo de volumen, la energia de cohesion y la estructura de bandas del (Si, Ge)xZ (1-x).