Peliculas delgadas de oxido de estano dopado con indio (SnO2:In), material conocido como ITO por su sigla en ingles, fueron caracterizadas por medidas de resistividad electrica y movilidad Hall en el rango de temperaturas 14K-400K. Este material posee baja (~10-4 Wcm), la cual se incrementa ligeramente con la temperatura, y una alta densidad de portadores (h= 4,0 ± 1,1 ´ 1019 cm-3) que se mantiene aproximadamente constante en el rango de temperatura indicado. Estos resultados permiten concluir que se trata de un semiconductor degenerado con huecos actuando como portadores mayoritarios. Parametros importantes del semiconductor fueron obtenidos por simulacion de la contribucion fononica a la resistividad del material. Resistivity and Hall mobility measurements on Indium tin oxide thin films (ITO) were performed in the temperature range 14K-400K. This material has low resistivity (~10-4 Wcm) which raises slightly with increasing temperature, and a high carrier density (h= 4,0 ± 1,1 ´ 1019 cm-3) which remains almost constant within the whole temperature range. According to the results, ITO can be considered as a degenerated semiconductor with holes acting as majority carriers. Important semiconductor parameters were obtained by simulating the phononic contribution to the resistivity.