espanolSe crecieron peliculas delgadas de Dioxido de Vanadio VO2 utilizando un sistema Magnetron Sputtering R.F. a 13.56 MHz, sobre substratos de Zafiro c(0001), SrTiO3 (100), Si (100) y vidrio. La temperatura del substrato durante el creci-miento se mantuvo constante a 480 °C. Las peliculas fueron fabricadas en atmosfera de Argon y Oxigeno a 9x10-3 mbar. Se observa el efecto del substrato sobre las propiedades electricas mediante medidas de resistencia electrica en funcion de la temperatura. Las peliculas presentan una transicion de fase aislante-metal y una variacion de la resistencia de 3 ordenes de magnitud a 68 °C. Por analisis DRX se encontro que las muestras depositadas sobre substratos de zafiro presentan mejor orientacion en el crecimiento. EnglishWe have grown VO2 thin films by R.F Magnetron Sputtering at 13.56MHz on Sapphire c(0001), SrTiO3 (100), Si (100) and glass substrates. The substrate temperature was kept at 480oC during the deposition process. The films were grown in argon and oxygen atmosphere at 9x10-3 mbar. Electrical resistance as a function of temperature measurements, shows the sub-strate effects on electrical properties and a semiconductor to metallic phase transition with electrical resistance changes as large as 103 at 68 °C. By XRD analysis was found that the deposited samples on sapphire�s substrates present better orien-tation in the growth.