Se presenta un sistema para la elaboración del Silicio Poroso (SP) tipo p y su caracterización morfológica. El SP es elaborado mediante un ataque electroquímico de un cristal de silicio tipo p en una solución con acido fluorhídrico (HF) dentro de una celda electroquímica a la cual es aplicada una corriente constante mediante un electrodo de platino y otro de silicio con un contacto óhmico de plata. La caracterización del SP se obtuvo mediante la técnica de microscopia de fuerza atómica (AFM).Palabras clave: Semiconductor, Silicio poroso, ataque electroquímico, ácido fluorhídrico.