Este projeto consiste na fabricação e caracterização de filmes poliméricos, como isolantes de porta, em transistores de filmes finos orgânicos (do inglês Organic Thin Film Transistor, OTFTs), com estrutura bottom-gate/bottom-contact.Foram utilizados vários materiais dielétricos orgânicos sem reticulação, poli(4-vinilfenol) (PVP), polimetilmetacrilato (PMMA) ou na forma de blenda com o agente reticulante poly(melamine-co-formaldehyde) methylated (PMF), com o intuito de aumentar a resistência química do filme contra a degradação por oxigênio e a corrosão por solvente orgânico.Foi necessário investigar o efeito da espessura e da reticulação nas propriedades do filme dielétrico para obter um dispositivo com parâmetros elétricos semelhantes aos encontrados na literatura, tais como: constante dielétrica (k), densidade de capacitância, densidade de corrente de fuga, tensão de limiar (VT), inclinação da região de sublimiar (SS), mobilidade dos portadores (μp) e relação entre as correntes ION/OFF.Foi feita a caracterização elétrica dos transistores fabricados, assim como análises morfológicas por espectroscopia Raman, FTIR e rugosidade.Com a finalidade de conhecer se o filme dielétrico de PVP ou PMMA suporta os processos de fabricação, foi analisado, tanto por AFM quanto por perfilometria, o que ocorre na espessura dos filmes obtidos após a corrosão por plasma e a deposição por centrifugação (do inglês spin coating) de diferentes solventes orgânicos sobre o filme dielétrico.