espanolEn este trabajo se analizaron muestras semiconductoras de GaAs y InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rapido por fotoluminiscencia a temperatura ambiente. Las muestras fueron crecidas por la tecnica LEC, con la tecnica fotoluminiscente se obtuvieron imagenes y espectros de linea, para analizar los parametros: longitud de onda del pico maximo, intensidad del pico maximo, el ancho espectral a la mitad de la altura maxima (FWHM) y la senal integrada para todas las muestras. El espectro del GaAs no dopado mostro dos picos alrededor de 1,426 eV y otro en 1,36 eV, el cual corresponde a un defecto superficial originado por el proceso oxidacion de la misma. El espectro del GaAs:Cr muestra un pico alrededor de 1,437 eV, no presento zona de defectos al ser tratado quimicamente, debido a la presencia del Cr en el GaAs que origina un nivel aceptor profundo situado en 0,63 eV por debajo de la banda de conduccion. El espectro del InP:S presento un pico alrededor de 1,375 eV y cuando fue tratado quimicamente reflejo dos picos: con acetona de 1,380 eV y acido sulfurico de 1,392 eV. EnglishIn this work semiconductor sample of GaAs and InP doped and non-doped with a fast-mapping equipment by photoluminescence at room temperature. The samples were gown by the LEC technique,with the photo luminescent technique the images were obtained and line spectrum to analyze characterization parameters such as:wavelength and intensity of the maximum, wide spectral in the middle of the maximum height (FWHM) and the integrated signal for all the samples. The spectrum of the not dope GaAs showed 2 peaks around 1,426 eV and another in 1,36 eV, which corresponds to superficial defect originated by the oxidation process of itself. The spectrum of the GaAs:Cr showed us a peak around 1,437, it did not present any defect zone when treated chemicallydue to the presence of the Cr en el GaAs that originates an acceptor deep level located in 0,63 eV and under the conduction band. The spectrum of the InP:S showed a peak around the 1,375 eV and when it was treated chemically showed 2 peaks: 1,380eV with acetone and 1,392 eV with sulfuric acid.These peaks show us the crystalline quality that these semiconductor samples present, allowing the manufacture of optoelectronic devices such as: lasers, microchips and detectors.