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Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and AlxGa1-xN thin films: Tuning the nonlinear optical response by alloying and doping

Acceso Abierto
Idioma: Inglés
Publicado: 24/01/2020
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Tópico:

GaN-based semiconductor devices and materials

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FuenteJournal of Alloys and Compounds
Cuartil año de publicaciónNo disponible
Volumen825
IssueNo disponible
Páginas153828 - 153828
pISSNNo disponible
ISSN0925-8388
Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S67716761

Enlaces e Identificadores:

Doi URLhttps://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.153828Openalex URLhttps://openalex.org/W3000829277Scholar URLhttps://scholar.google.com/scholar?hl=en&as_sdt=0%2C5&q=info%3Af-tmec4tBdUJ%3Ascholar.google.com&btnG=
Pdf URLhttps://www.sciencedirect.com/science/article/am/pii/S0925838820301912Scholar citations URLhttps://scholar.google.com/scholar?cites=15349725269785504639&as_sdt=2005&sciodt=0,5&hl=enOpen_access URLhttps://www.sciencedirect.com/science/article/am/pii/S0925838820301912
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