El creciente interés por la adquisición de nuevo conocimiento acerca del comportamiento de materiales empleados en la construcción de dispositivos optoelectrónicos ha llevado a la búsqueda de nuevas técnicas de instrumentación y caracterización de materiales que permitan comprender fenómenos electrónicos asociados a propiedades ópticas inherentes a materiales semiconductores. Por esta razón se desarrolló una cámara hermética con emisión controlada en el UV-visible e infrarrojo cercano que se integra al impedancimetro Solartron SI 1260 IMPEDANCE/GAIN-PHASE ANALYZER con el objetivo de mejorar y diversificar su funcionamiento; convirtiendo así este equipo en un sistema capaz de realizar medidas de impedancia eléctrica en presencia de diferentes tipos de radiación óptica a través de la técnica de espectroscopia de fotoimpedancia eléctrica. Se realizaron estudios de películas microestructuradas de ZnO a través del sistema de foto-impedancia eléctrica en temperatura ambiente y a 120 °C. Los resultados indican una disminución de la impedancia en un orden de magnitud para las películas en presencia de radiación UV, hecho asociado a la cercanía de esta radiación con el gap de 3.17 eV calculado para las microvaras de ZnO. Los mejores resultados en los tiempos de saturación y relajación de las películas se lograron a 120 °C. De este modo se logró determinar la alta eficacia de las películas microestructuradas de ZnO como posibles sensores resistivos de UV cuando se someten a altas temperaturas.