Se realizaron cálculos de primeros principios para estudiar las propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de la superficie m-GaN dopada con manganeso (Mn). Este dopaje generó un momento magnético total de 4 µB debido a la interacción de los estados 2p-N y 3d-Mn. Se encontró que el dopaje de Mn es responsable del 82 % de la magnetización total de la superficie. Además, el dopaje generó cambios estructurales en la superficie y se evidenciaron en las distancias entre las capas atómicas “d12, d23, d34, d45”. La superficie mostró propiedades de metal y semiconductor simultáneamente, estos materiales son llamados “half-metalic”, dependiendo de la polarización del espín. Se determinó la posición sustitucional del dopaje mas estable energéticamente, así mismo se observó que este dopaje generó menos cambios estructurales como lo muestran los porcentajes de cambio en las distancias entre capas atómicas “∆d12, ∆d23, ∆d34, ∆d45”