Este trabajo trata de la caracterizacion del substrato de silicio cristalino (c-Si) y la determinacion del Gap optico a traves de medidas de transmision y reflexion utilizando un equipo de medida optica que emplea Led’s convencionales de bajo costo de adquisicion disenado en la Universidad de Pamplona. En el equipo disenado para realizar las medidas transmision optica se utilizaron cinco Led’s convencionales de bajo costo de adquisicion de espectros de longitudes de ondas que varian entre el violeta (300nm) hasta el infrarrojo (900 nm). Para realizar los experimentos se utilizaron obleas de silicio cristalino (c-Si) tipo p de 200 y 300 um de grosor pulida por ambas caras con orientacion cristalografica . Con medidas de transmision y reflexion se calculo la absorcion del material semiconductor y se estimo el valor del Gap optico comparandose con resultados obtenidos por otros autores. Demostrando que es posible utilizar elementos convencionales de bajo consumo de energia y bajo coste de adquisicion en la fabricacion de sistemas de caracterizacion que involucran medidas opticas complejas combinando variables como la temperatura.
Tópico:
Thin-Film Transistor Technologies
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FuenteBistua Revista De La Facultad De Ciencias Basicas