La investigación presentada en este artículo está orientada hacia el área de matería condensada en el campo de la física de semiconductores. En esta investigación se utilizan los principios básicos de la mecánica cuántica, en especial el de la aproximación de masa efectiva.El objetivo de este artículo es determinar las energías del estado fundamental, así como las energías de transición electrón-hueco cuando una heteroestructura semiconductora de GaAs-Ga1-xAlxAs está inmersa en una barrera de Ga1-yAlyAs, por la aplicación de una presión hidrostática. La metodología que se propone en el presente trabajo es solucionar analíticamente la ecuación diferencial de segundo orden de Schrodinger. Las soluciones encontradas permiten determinar las funciones propias de la ecuación diferencial y además las energias de transicion en el estado fundamental mediante la aplicación de la presión hidrostática. Los principales resultados fueron encontrados mediante el uso del software Mathematica 5.0, mostrando que en el regimen de confinamiento fuerte, para pequeños anchos del pozo de potencial de la heteroestructura semiconductora, el potencial de confinamiento con la presion es menor para la función de los portadores de carga (electrón-hueco). Sin embargo, se muestra que en el regimen de confinamiento débil los efectos de la presión hidrostática sobre las alturas de la barrera son más significativos, y las energías de los portadores disminuyen.