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(CuIn)x(AgIn)yMn2zTe2 alloys.T(z) phase diagram and optical energy gap values

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Polycrystalline samples of (CuIn)x(AgIn)yMn2zTe2 alloys are used in lattice parameter, optical energy gap E0, and differential thermal analysis (DTA) measurements and for various sections of constant x/y ratio, T(z) diagrams are determined. The results indicate that for both the zincblende and chalcopyrite phases, ordering of the manganese occurs in the lower temperature range. In contradiction of previous data, it is shown that at temperatures of 200 °C and below, the ordered chalcopyrite α′ is the equilibrium condition over the complete range of solid solubility in the adamantine structures. It is shown that the manganese ordering has negligible effect on the lattice parameter but that appreciable lattice parameter differences can occur with different annealing temperatures, these differences being attributed to changes in non-stoichiometry. However, the value of E0 is appreciably affected by the manganese ordering and it is shown that E0 gives a very convenient indication of the particular phase present in a single phase sample. An polykristallinen (CuIn)x(AgIn)yMn2zTe2-Legierungsproben werden Messungen des Gitterparameters, der optischen Energielücke E0 und der differentiellen Thermoanalyse (DTA) durchgeführt und für verschiedene Abschnitte mit konstantem x/y-Verhältnis werden T(z)-Diagramme bestimmt. Die Ergebnisse zeigen, daß sowohl für sowohl für die Zinkblende- als auch die Chalkopyritphase im Niedertemperaturbereich Manganordnung auftritt. Im Gegensatz zu früheren Werten wird gezeigt, daß bei Temperaturen von 200 °C und darunter, das geordnete Chalkopyrit α′ die Gleichgewichtsbedingung über den vollständigen Bereich der Löslichkeit in den Adamantine-Strukturen darstellt. Es wird gezeigt, daß Manganordnungseinfluß auf den Gitterparameter vernachlässigbar ist, daß jedoch beträchtliche Gitterparameterdifferenzen bei unterschiedlichen Temperungstemperaturen auftreten können; diese Differenzen werden Änderungen in der Nichtstöchiometrie zugeordnet. Der Wert von E0 wird jedoch beträchtlich beeinflußt durch Manganordnung und es wird gezeigt, daß E0 in bequemer Weise eine spezielle Phase in einer Einphasenprobe anzeigt.

Tópico:

Chalcogenide Semiconductor Thin Films

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Información de la Fuente:

Fuentephysica status solidi (a)
Cuartil año de publicaciónNo disponible
Volumen115
Issue1
Páginas157 - 164
pISSNNo disponible
ISSN0031-8965

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