Nous avons étudié la photoconductivité dans GaAs jusqu'à 7 GPa en conditions hydrostatiques, à l'aide d'une cellule à enclumes de diamant équipée d'un joint muni de 4 passages électriques.Ces résultats contribuent à caractériser la transition de gap direct-indirect induite par la pression.Abstract -Photoconductivity measurements of GaAs were performed up to 7 GPa in hydrostatic conditions, using a gasketed D.A.C. with 4 electrical leads to the pressurized volume.Experimental data are related to the pressure induced crossing of I" and X levels of GaAs conduction band.