Hemos estudiado los estados de excitación de orificios pesados ​​en GaSb – GaInAsSb – GaSb tipo-I Puntos cuánticos esféricos, utilizando constante dieléctrica estática dependiente de la temperatura y afinidad electrónica, con una barrera de potencial de altura finita, en función del radio de puntos cuánticos para varios valores de concentración de indio. Nuestros cálculos se han elaborado utilizando métodos de interpolación para encontrar la dependencia de la temperatura y la concentración de indio tanto de la constante dieléctrica como de la afinidad electrónica, con el fin de determinar la conducción y las compensaciones de banda de valencia en la heteroestructura GaSb – GaInAsSb – GaSb mediante la aplicación de la afinidad electrónica. Regla. Hemos calculado la energía de unión del excitón y la energía de transición correspondiente del estado fundamental del excitón al nivel del agujero pesado, utilizando un procedimiento variacional dentro de la aproximación de masa efectiva. Hemos descubierto que la energía de unión del excitón de agujero pesado presenta cambios debido a la dependencia de la temperatura de la afinidad electrónica y la constante dieléctrica estática. Sin embargo, nuestros resultados para la energía de transición desde el estado fundamental del excitón al nivel de pozo pesado coinciden con los reportados en un trabajo teórico previo, donde encontramos un muy buen acuerdo con los estudios experimentales de fotoluminiscencia y fotorreflectancia enT = 12 K en películas cultivadas sobre sustratos de GaSb por epitaxia en fase líquida.