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Effect of thermal annealing on r.f. sputtering-deposited nanocrystalline GaN x As1−x thin films

Acceso Cerrado

ID Minciencias: ART-0000450871-29

Ranking: ART-ART_A1

Idioma: Inglés

Publicado: 24/07/2007

APC (est): No disponible

Abstract no disponible

GaN-based semiconductor devices and materials

FuenteJournal of Nanoparticle Research	Cuartil año de publicaciónNo disponible	Volumen10
Issue3	Páginas519 - 523	pISSNNo disponible
ISSN1572-896X	Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S194298869

Minciencias ID	ART-0000450871-29	Scienti ID	0000450871-29	Doi URL	https://doi.org/10.1007/s11051-007-9267-x
Openalex URL	https://openalex.org/W2072979440

Artículo de revista