La energía de enlace de los excitones de Wannier unidos a las impurezas de donantes ionizados, D+, en GaAs / AlxGa 1−xComo pozos cuánticos, se estudia utilizando la aproximación de masa efectiva dentro de un enfoque variacional, en función del ancho del pozo para diferentes alturas de barrera y campos magnéticos aplicados en la dirección de crecimiento. Nuestros cálculos están dedicados a magnetoexcitones de agujeros pesados. Como era de esperar, encontramos que la energía de enlace de un excitón de orificios pesados ​​unido a una impureza ionizada de un donante aumenta con la concentración de Al, así como con el campo magnético aplicado. En caso contrario, encontramos que es superior al correspondiente para excitones de agujero pesado sin impurezas reportados por otros autores. Además, encontramos que la energía de enlace del excitón de agujero pesado unido a una impureza ionizada donante es mayor (menor) para un ancho de pozo cuántico mayor (menor).