Des mesures électriques du coefficient de Hall et de mobilité électronique sont obtenues sur des échantillons de CuInSe2 type n lorsque la temp?rature varie de 4 à 300 K. L'étude des courbes de mobilité montre que dans le domaine des hautes températures, seules les diffusions des électrons par les impuretés ionisées, les phonons acoustiques et les phonons polaires optiques prédominent. Des mesures de réflectivité en infrarouge lointain à 300 K, permettent d'étudier la contribution des phonons à la permittivité complexe et de déterminer, sur des échantillons dégénérés, la concentration en électrons ainsi que la mobilité. Ces valeurs sont en accord avec celles obtenues par des mesures électriques. Hall coefficient and electrical mobility of electrons are measured in non-degenerate n-type CuInSe2 samples when the temperature varies between 4 and 300 K. The diffusion of electrons by ionized impurity, acoustic phonons and optical polar phonons are dominant in the high temperature regime. Far infrared reflectivity experiments at 300 K on Zn-doped CuInSe2 have been made. By considering the contribution of the plasmons to the complex dielectric function, from the analysis of the phonon spectra, the electron concentration and the carrier mobility are estimated. These values are in good agreement with those obtained from the electrical measurement.