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Investigation of the formation of silicon nanocrystals by annealing of amorphous SiCx/c-Si structures

Acceso Cerrado

ID Minciencias: ART-0000933449-26

Ranking: ART-ART_B

Idioma: Inglés

Publicado: 18/12/2006

APC (est): No disponible

Abstract no disponible

Thin-Film Transistor Technologies

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FuentePhysica E Low-dimensional Systems and Nanostructures	Cuartil año de publicaciónNo disponible	Volumen38
Issue1-2	Páginas36 - 39	pISSNNo disponible
ISSN1386-9477	Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S23074404

Scienti ID	0000933449-26	Minciencias ID	ART-0000933449-26	Openalex URL	https://openalex.org/W1991145205
Doi URL	https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.12.025

Artículo de revista