Se realizaron estudios estructurales y de impedancia electrica de nanoestructuras semiconductoras de ZnO, las particulas se encuentran sintetizadas en forma de polvo y peliculas en sustratos de vidrio. Se describe tambien el proceso de deposicion de las peliculas a traves del metodo SILAR, proceso que se deriva de la tecnica CBD. El analisis XRD muestra tamanos de cristalito de hasta 100 , y coeficientes de texturas comprendidos entre 3.5 y 1.5 para las peliculas, ademas de encuentra influencia en la calidad de la pelicula en respuesta al precursor de zinc empleado. La tecnica de Espectroscopia de Impedancias indica que el polvo de ZnO compactado presenta un comportamiento altamente resistivo, con resistencia del orden 3.2x10 8 Ω, llegando sugerir que el material tiende a comportarse como capacitivo puro.