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ImpactU Versión 3.11.2
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Hecho en Colombia

Parameter extraction of lightly-doped drain (LDD) MOSFETs

Acceso Cerrado

Idioma: Inglés

Publicado: 01/01/1998

APC (est): No disponible

Abstract no disponible

Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

FuenteSpringer eBooks	Cuartil año de publicaciónNo disponible	VolumenNo disponible
IssueNo disponible	Páginas291 - 326	pISSNNo disponible
ISSNNo disponible	Perfil OpenAlexhttps://openalex.org/S4306463937

Openalex URL	https://openalex.org/W146718776	Doi URL	https://doi.org/10.1007/978-1-4615-5415-8_6

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