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Threshold shifting of NMOS transistors by arsenic ion implantation prior to gate oxidation
Acceso Cerrado
Fuente: IEEE Transactions on Electron Devices
Joel P de Souza
Edgar Charry
Temas:
NMOS logic
Threshold voltage
Transistor
Materials science
Arsenic
Ion implantation
Optoelectronics
Silicon
Ion
Reproducibility
Voltage
Electrical engineering
Chemistry
Metallurgy
Engineering
Organic chemistry
Chromatography
Publicado: 1981
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Artículo de revista
1
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