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E Gil Lafon
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Temperature dependence of the Raman shift in GaAs conformal layers grown by hydride vapor phase epitaxy
Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Applied Physics
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Juan Jimenez
Bruno Gerard
J Napierala
E Gil Lafon
Temas:
Raman spectroscopy
Materials science
Hydride
Epitaxy
Dislocation
Layer (electronics)
Substrate (aquarium)
Condensed matter physics
Analytical Chemistry (journal)
Chemistry
Composite material
Metal
Optics
Metallurgy
Physics
Chromatography
Oceanography
Geology
Publicado: 2002
Citaciones:
18
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Self-doping near the seed/layer interface in conformal GaAs layers grown on Si
Acceso Cerrado
Fuente: Applied Physics Letters
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Juan Jimenez
Bruno Gerard
J Napierala
E Gil Lafon
Temas:
Cathodoluminescence
Raman spectroscopy
Materials science
Doping
Luminescence
Etching (microfabrication)
Dopant
Layer (electronics)
Optoelectronics
Photoluminescence
Spectroscopy
Analytical Chemistry (journal)
Optics
Nanotechnology
Chemistry
Physics
Quantum mechanics
Chromatography
Publicado: 2001
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Cathodoluminescence study of Si complex formation in self-doped and intentionally Si-doped GaAs conformal layers
Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Physics Condensed Matter
Oscar Martínez
Angel Miguel Ardila Vargas
Manuel Avella
Juan Jimenez
Francesca Rossi
Nicola Armani
Bruno Gerard
E Gil Lafon
Temas:
Cathodoluminescence
Doping
Materials science
Raman spectroscopy
Silicon
Analytical Chemistry (journal)
Infrared
Mineralogy
Chemistry
Optoelectronics
Luminescence
Optics
Physics
Chromatography
Publicado: 2003
Citaciones:
1
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Doping profiles of n-type GaAs layers grown on Si by the conformal method
Acceso Cerrado
Fuente: MRS Proceedings
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Juan Jimenez
Bruno Gerard
J Napierala
E Gil Lafon
Temas:
Materials science
Doping
Cathodoluminescence
Raman spectroscopy
Optoelectronics
Monochromatic color
Silicon
Analytical Chemistry (journal)
Optics
Chemistry
Physics
Chromatography
Luminescence
Publicado: 2001
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of doping in GaAs layers by local probe techniques: micro-Raman, micro-photoluminescence and cathodoluminescence
Acceso Cerrado
Fuente: MRS Proceedings
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Luis Felipe Sanz del Soto
Juan Jimenez
B Gérard
J Napierala
E Gil Lafon
Temas:
Cathodoluminescence
Materials science
Raman spectroscopy
Photoluminescence
Doping
Optoelectronics
Plasmon
Photoluminescence excitation
Analytical Chemistry (journal)
Optics
Luminescence
Chemistry
Physics
Chromatography
Publicado: 2002
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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