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E Gil Lafon
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Temperature dependence of the Raman shift in GaAs conformal layers grown by hydride vapor phase epitaxy
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Applied Physics
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Juan Jimenez
Bruno Gerard
J Napierala
E Gil Lafon
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2002
Citaciones:
18
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Artículo de revista
Self-doping near the seed/layer interface in conformal GaAs layers grown on Si
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Acceso Cerrado
Fuente: Applied Physics Letters
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Juan Jimenez
Bruno Gerard
J Napierala
E Gil Lafon
Tópico:
Semiconductor materials and devices
Publicado: 2001
Citaciones:
6
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0
Artículo de revista
Cathodoluminescence study of Si complex formation in self-doped and intentionally Si-doped GaAs conformal layers
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Physics Condensed Matter
Oscar Martínez
Angel Miguel Ardila Vargas
Manuel Avella
Juan Jimenez
Francesca Rossi
Nicola Armani
Bruno Gerard
E Gil Lafon
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2003
Citaciones:
1
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Doping profiles of n-type GaAs layers grown on Si by the conformal method
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Acceso Cerrado
Fuente: MRS Proceedings
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Juan Jimenez
Bruno Gerard
J Napierala
E Gil Lafon
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2001
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of doping in GaAs layers by local probe techniques: micro-Raman, micro-photoluminescence and cathodoluminescence
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Acceso Cerrado
Fuente: MRS Proceedings
Angel Miguel Ardila Vargas
Oscar Martínez
Manuel Avella
Luis Felipe Sanz del Soto
Juan Jimenez
B Gérard
J Napierala
E Gil Lafon
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2002
Citaciones:
0
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Artículo de revista
1
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